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还在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STW30NM60ND正是您期待的答案。它集600V耐压与25A连续电流能力于一身，凭借FDmesh II技术将导通电阻优化至130毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能让您轻松实现快速、干净的开关动作。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频应用场景。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高可靠性工业设备，它都能提供坚实的性能基础，助您轻松应对严苛的功率挑战。

• 型号:STW30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。