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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与高可靠性的功率开关吗？STB8NM60T4正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和8A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh技术，它能为您的高压应用提供坚固的保障。

它的卓越之处在于优异的动态性能平衡：仅1欧姆的低导通电阻帮助您大幅降低导通损耗，而18nC的低栅极电荷让开关过程更加迅速高效，从而整体提升系统能效。采用D2PAK封装，散热能力出众，确保在高达150°C的结温下稳定运行。选择它，能让您的电源或电机驱动设计更高效、更紧凑，轻松应对严苛的工作环境。

• 型号:STB8NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB8NM60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。