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您正在寻找一颗能扛起中高功率应用大旗的“核心动力”吗？STGWT60V60DF正是为此而生！这颗600V、80A的沟槽场截止型IGBT，凭借仅2.3V的低导通压降和高达375W的功率处理能力，能显著降低您系统的导通与开关损耗，直接提升整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

它集高电流能力（脉冲电流可达240A）、快速开关特性与宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）于一身。无论是驱动电机、转换功率还是处理能量，STGWT60V60DF都能让您轻松构建出更紧凑、更可靠、性能更强劲的电源与驱动系统，是工业变频、新能源和不间断电源等应用的理想心脏。

• 型号:STGWT60V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:750J（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:334 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/208ns
• 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):74 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:-
• STGWT60V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。