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您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的核心器件吗？STL9N65M2正是为您而来。这颗N沟道功率MOSFET拥有650V的高耐压和4.5A的电流处理能力，是构建高效电源、电机驱动等系统的理想选择。

它采用先进的表面贴装POWERFLAT封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的封装设计还有助于散热，让您的系统运行更稳定、更凉爽。选择它，意味着您能轻松实现更高的功率密度和更优的能效表现，从而打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STL9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。