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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任的核心器件吗？STB8NM60N正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和7A的强劲电流处理能力，基于成熟的MDmesh II技术，它能显著降低导通电阻和开关损耗。

这意味着，在您的电源、照明或电机驱动应用中，它能帮助您轻松提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。其优化的动态参数和D2PAK封装，确保了高效功率切换的同时，也兼顾了卓越的散热性能与可靠性，是您构建高效、稳定功率系统的得力助手。

• 制造商产品型号：STB8NM60N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB8NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。