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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？让意法半导体的STP6N120K3来为您分忧。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有1200V的强悍耐压和6A的电流处理能力，能轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求场景。

它的核心价值在于高效与可靠。仅需10V驱动电压，即可实现优异的导通特性（Rds(on)典型值低至2.4欧姆），显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。高达150W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，确保了出色的热管理，让您在设计高功率密度应用时信心倍增。

• 型号:STP6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N120K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。