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还在寻找那颗能扛起大电流、实现高效开关的“中流砥柱”吗？STB60NE06L-16T4 N沟道MOSFET正是为您而来的功率管理利器。它基于意法半导体先进的STripFET II技术打造，拥有60V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，让您在设计大功率转换电路时信心十足。

这颗芯片能为您做什么？其核心价值在于极低的导通电阻（仅14毫欧@10V）和优化的开关特性。这意味着它能显著减少导通损耗和开关损耗，让您的电源模块、电机驱动器或逆变器运行得更凉爽、更高效。无论是提升能效以满足严苛的能效标准，还是缩小散热器尺寸以优化产品体积，它都能提供关键助力。

此外，其坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了它在各种挑战性环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的电力核心选择一个经久耐用、性能卓越的强大心脏。

• 型号:STB60NE06L-16T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NE06L-16T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。