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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB8N90K5正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的高耐压和8A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，轻松应对高压环境，实现高效、稳定的能量控制。

它凭借仅800毫欧的低导通电阻（@10V Vgs），大幅降低了导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的动态性能和D2PAK封装带来的出色散热能力，确保芯片在高功率运行下依然保持冷静与可靠。选择STB8N90K5，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且值得信赖的“动力核心”，让您的设计脱颖而出。

• 型号:STB8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 1.17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB8N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。