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在追求极致能效的今天，一颗强大的功率开关芯片能为您带来什么？STW40N60M2-4正是意法半导体为您提供的答案。它基于先进的MDmesh II Plus技术，集600V高耐压、34A大电流与超低导通电阻于一身，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等严苛场景。其优异的开关特性（低栅极电荷）与低导通损耗，直接帮助您降低系统发热，提升整体能效，同时简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，确保在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作，助您打造出更具市场竞争力的可靠解决方案。

• 型号:STW40N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N60M2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。