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您正在设计需要处理汹涌电流的电源或电机驱动方案吗？STB85NS04Z就是您的高效动力引擎。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有80A的连续电流处理能力和低至15毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的功率损耗，让热量不再是性能的瓶颈。

它采用坚固的D2PAK封装，轻松应对表面贴装工艺，并能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定运行。无论是进行快速的开关切换，还是承受高强度的功率耗散（高达215W），它都能游刃有余，让您的产品设计更高效、更可靠。

• 型号:STB85NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:215W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB85NS04Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。