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您正在寻找一颗能同时征服高电压与高效率挑战的功率开关吗？STB34NM60N正是您的理想之选。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和29A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅105毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它内置的快速开关特性（低栅极电荷Qg）让您能轻松设计出更高频率的电路，从而缩小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。无论是面对工业级的严苛温度环境（结温高达150°C），还是需要高可靠性的长期运行，其D2PAK封装和强大的功率处理能力（250W）都能让您信心十足，轻松构建出性能强劲且稳定耐用的电力电子核心。

• 型号:STB34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。