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您正在寻找一颗能轻松应对600V高压平台，同时保持极低损耗的功率开关吗？STB7ANM60N正是为此而生。它基于先进的MDmesh II技术，拥有仅900毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

这颗N沟道MOSFET能承受5A的连续电流，并采用坚固的D2PAK封装，散热能力出色。其优化的栅极驱动特性（最大栅极电荷仅14nC）让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，从而提升系统整体性能与可靠性。无论是用于汽车电子、工业电源还是高端照明驱动，它都能让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效和稳定性脱颖而出。

• 型号:STB7ANM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB7ANM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。