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您正在寻找一颗能高效、可靠地控制功率通断的“开关”吗？STN2NE10正是这样一位得力干将。它基于先进的STripFET技术，拥有100V的耐压和2A的电流处理能力，能以低至400毫欧的导通电阻，让电流顺畅通过，显著减少能量损耗和发热，从而让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能轻松胜任各种开关和调制任务。无论是便携设备中的电源路径管理、LED照明驱动，还是小型电机、继电器的控制，STN2NE10都能凭借其快速的开关响应和优异的热性能，确保系统稳定可靠地工作。其紧凑的SOT-223封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率控制功能，大大简化了电路板设计。

• 型号:STN2NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN2NE10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。