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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流任务的功率开关吗？STB75NH02LT4正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有24V耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通损耗。在10V驱动下，导通电阻可低至8毫欧，这意味着它能大幅减少开关过程中的热量产生，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

得益于STripFET III先进技术，它实现了优异的品质因数。仅需5V的低驱动电压即可高效开启，让您的电路设计更加灵活简便。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是确保电机驱动控制的强劲与稳定，STB75NH02LT4都能以卓越的电气性能和-55°C至175°C的宽工作温度范围，为您的应用注入持久可靠的动力。

• 型号:STB75NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。