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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STD60NF55LT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有55V的耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅15毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低您在电源转换、电机驱动或负载开关应用中的导通损耗，直接提升系统整体效率，并有效缓解散热设计压力。

更令人心动的是，它具备优异的开关特性。优化的栅极电荷让驱动更轻松、开关更迅速，从而进一步降低开关损耗。无论是面对工业电源的严苛环境，还是消费电子对能效的极致追求，它宽广的工作温度范围和稳健的DPAK封装，都能让您的设计更可靠、性能更出众。选择它，就是选择了一份高效与安心。

• 型号:STD60NF55LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60NF55LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。