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还在寻找一颗能同时提升效率与可靠性的功率核心吗？STGW60H65DFB就是您期待的答案。这颗650V/80A的IGBT，采用先进的沟槽场截止技术，能为您大幅降低导通与开关损耗，让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有仅2V的低饱和压降和优异的开关特性，能轻松应对高频工作挑战，直接帮助您优化散热设计，降低系统总成本。高达375W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更确保了它在各种严苛环境下的持久稳定，让您对产品的长期可靠性充满信心。

• 型号:STGW60H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW60H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。