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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任的“核心引擎”吗？STB70N10F4正是这样一款性能强悍的N沟道MOSFET。它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，拥有100V的漏源电压和高达65A的连续漏极电流承载能力，让您在设计大电流路径时信心十足。

这颗芯片最引人注目的优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为19.5毫欧。这意味着在导通状态下，它的能量损耗微乎其微，能显著提升系统的整体效率，并有效降低发热。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您的电源转换或电机控制响应更迅捷，运行更平稳。无论是提升能效还是增强可靠性，STB70N10F4都是您实现高效功率管理的得力助手。

• 型号:STB70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB70N10F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。