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想象一下，您需要一颗能轻松驾驭1200V高压、高效处理功率转换任务的“心脏”。STGD7NB120S-1正是为此而生！它集成了意法半导体先进的PowerMESH技术，让您在变频驱动、电源转换等应用中，获得更低的导通损耗和更高的能源利用效率。

这颗IGBT能为您提供高达10A的连续电流输出，峰值能力更达20A，足以应对各种突发的负载需求。其优化的开关特性有助于减少开关损耗，而坚固的封装和宽工作温度范围则确保了它在恶劣环境下的长期稳定运行。选择它，意味着您选择了一个能简化设计、提升系统可靠性的强大伙伴。

• 型号:STGD7NB120S-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 10A TO-251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:55 W
• 开关能量:15mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:29 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:570ns/-
• 测试条件:960V，7A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• STGD7NB120S-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。