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还在为寻找一颗能扛起大电流开关重任的“硬核”器件而发愁吗？STP65NF06正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET，拥有60V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅14毫欧@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换、电机驱动等应用实现更高效率、更低发热。

它采用意法半导体成熟的STripFET II技术，响应迅速，驱动简便。高达110W的耗散功率和宽广的工作温度范围，确保它在严苛环境下也能稳定运行。无论是升级现有设计还是开发新品，选择STP65NF06，都能让您轻松获得强劲、可靠的功率开关性能，为产品的稳定高效运行打下坚实基础。

• 型号:STP65NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP65NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。