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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD16N65M5 N沟道MOSFET正是为您破解这一难题的利器。它拥有650V的高压耐受能力和12A的强劲电流输出，结合其MDmesh V技术带来的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对服务器电源、工业变频器、高性能充电器等应用中的高压开关任务。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，有助于简化驱动电路设计并提升系统整体响应速度。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STD16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。