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您正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效与可靠的“心脏”吗？STD2HNK60Z-1正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体引以为傲的SuperMESH技术，拥有600V的耐压和2A的电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而设计。

它的核心价值在于让您的设计更轻松、更高效。极低的导通电阻和栅极电荷显著降低了开关损耗和驱动需求，直接提升系统整体能效，同时减少散热压力。无论是用于电源转换、电机控制还是照明驱动，它都能确保稳定、强劲的性能输出。选择它，就是为您的产品注入一颗持久、可靠的高性能核心。

• 型号:STD2HNK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD2HNK60Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。