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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STB45NF06T4正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V/38A的强悍规格，其核心价值在于极低的28毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或负载开关应用运行得更凉快、更高效。

得益于STripFET II先进技术，它实现了优异的栅极电荷与电容特性，让您能够轻松设计驱动电路，获得更快的开关速度和更低的整体能耗。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发更高功率密度的新平台，它都能让您的设计目标轻松达成，是追求性能与可靠性的工程师的明智之选。

• 型号:STB45NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1730 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
• STB45NF06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。