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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？让IRF740来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您构建高效、可靠功率系统的得力助手。

它拥有400V的高耐压和10A的强电流处理能力，采用先进的PowerMESH II技术，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围（-65°C ~ 150°C），确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，大幅提升您最终产品的耐用性和可靠性。

选择IRF740，意味着您选择了一个久经考验的经典解决方案，它能轻松集成到您的设计中，帮助您快速实现性能目标，让产品在市场上更具竞争力。

• 型号:IRF740
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF740，ST（意法半导体）产品一站式供应商。