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还在为功率转换系统的效率和散热问题头疼吗？让STB40N60M2来为您解决！这颗来自意法半导体MDmesh II Plus家族的600V/34A N沟道MOSFET，是专为提升您的产品性能而生的利器。

它凭借仅88毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。同时，优化的开关特性帮助您轻松提升工作频率，实现更紧凑的磁性元件设计。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，更能确保您的应用在各种环境下都稳定可靠，大幅提升产品竞争力。

• 型号:STB40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。