我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL10LN80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率、同时简化散热设计的核心开关管吗？STL10LN80K5正是为您而来的解决方案。这颗800V/6A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh K5技术，能为您带来极低的导通损耗和出色的开关性能。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS和高端照明等应用中的高效能挑战。其超低的栅极电荷和优化的动态特性，意味着驱动更简单、开关更快、整体效率更高。同时，创新的PowerFlat VHV封装确保了卓越的散热能力，让您在紧凑的设计中也能实现高功率输出，大幅提升产品的功率密度和可靠性。

• 型号:STL10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。