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还在为寻找一颗能平衡高性能与高可靠性的功率开关而烦恼吗？让STB14NM50N来为您解决难题！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更简洁。极低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少传导损耗，而优化的动态参数（如栅极电荷）则能有效降低开关损耗，从而轻松提升系统整体能效。同时，其稳健的D2PAK封装和宽泛的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。

• 型号:STB14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。