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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB34NM60ND就是为您而来的强大引擎。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和29A的电流处理能力，能轻松担当系统主功率开关的重任。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的110毫欧导通电阻，能大幅减少导通损耗，直接提升整机效率，帮助您轻松满足严苛的能效标准。同时，优化的开关特性让系统运行更快速、更凉爽。采用坚固的D2PAK封装，确保在高功率场景下的稳定性和长寿命，是您打造高性能、高竞争力产品的理想选择。

• 型号:STB34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。