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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STF9N80K5为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，集800V高压耐受与超低导通电阻于一身，能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗，轻松实现更高的能源转换效率。

它不仅仅是一个开关，更是一个高效的能量控制器。其优化的动态参数让开关过程更快更干净，帮助您减少开关损耗，提升系统整体性能。同时，宽泛的工作温度范围和坚固的TO-220FP封装，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品设计更强大，运行更持久。

• 型号:STF9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。