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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和低损耗的“全能型”功率开关吗？STF22NM60N正是为您而来的答案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和16A的强大电流处理能力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动系统运行得更加高效、凉爽。

它通过极低的220毫欧导通电阻，显著减少导通状态的能量浪费；同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，大幅降低开关损耗。这意味着，无论是提升电源的转换效率，还是增强电机驱动的响应速度与控制精度，STF22NM60N都能让您轻松实现性能升级。其可靠的TO-220FP封装和宽温工作范围，更是为产品的长期稳定运行提供了坚实保障。

• 型号:STF22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF22NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。