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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP180N4F6正是为您而来。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，专为要求严苛的功率转换应用设计。其核心价值在于极低的导通损耗，能让您的电源模块、电机驱动或储能系统运行得更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效等级和可靠性。

基于先进的STripFET F6技术，它确保了在4.5V至10V的驱动电压下都能实现优异的开关性能。经典的TO-220封装不仅让安装坚固可靠，其强大的散热能力（最大功耗190W）更能让您从容应对高功率密度设计的挑战。简而言之，STP180N4F6能让您用更简单的热管理设计，实现更高效、更紧凑的电源解决方案，是您提升产品性能与市场竞争力的得力助手。

• 型号:STP180N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP180N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。