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还在为功率器件的效率和体积发愁吗？STL120N4F6AG将彻底改变您的看法。这颗来自意法半导体的40V N沟道MOSFET，凭借其极低的3.6毫欧导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它采用紧凑的PowerFlat封装，在节省电路板空间的同时，提供了出色的散热能力。无论是开发高功率密度的车载充电器、高效的DC-DC转换器，还是强劲的电动工具，它都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，助您的产品在市场中赢得先机。

• 型号:STL120N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。