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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STW25NM50N正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的500V/22A N沟道MOSFET，采用成熟的MDmesh II技术，能为您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器等应用中的核心功率转换任务。

它的卓越之处在于，能以低至140毫欧的导通电阻和仅84nC的栅极电荷，大幅降低导通与开关损耗，直接提升您的系统整体效率。这意味着更少的能量浪费为热量，更高的功率密度，以及更可靠的长期运行。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围，让您在各种严苛环境下都能信心十足。

• 型号:STW25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。