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您正在寻找一颗能同时征服高压与高效率挑战的功率开关吗？STB25NM60ND正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和21A的连续电流能力，核心采用ST先进的FDmesh II技术，实现了极低的160毫欧导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。高达160W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了出色的热可靠性；同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快，驱动更简易，从而提升系统整体响应效率。无论是用于服务器电源、工业变频器还是高性能照明，选择STB25NM60ND，就是为您的设计选择了经久耐用的高性能基石。

• 型号:STB25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。