我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW11NK90Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致效率与可靠性的功率电子世界，您需要一颗既能承受高压冲击，又能保持冷静高效的核心开关。STW11NK90Z正是为此而生。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和9.2A的连续电流能力，专为应对工业电源、电机驱动等高压大功率场景的严酷挑战。

它能为您做什么？简而言之，就是让您的设计更强大、更高效、更安心。其优化的技术平台实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的完美结合，这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接提升系统能效并减少发热。同时，TO-247-3封装和200W的功率耗散能力，让您轻松管理散热，确保系统在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定运行。选择STW11NK90Z，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的基因。

• 型号:STW11NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。