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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持极高效率的“心脏”吗？STB12NM60N-1正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流吞吐能力，基于先进的MDmesh II技术，它能显著降低导通电阻，从而让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它为您带来的，是实实在在的性能提升与设计简化。优异的开关特性（如低栅极电荷）让驱动设计更轻松，有助于提升系统整体频率与响应速度。其坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的散热和机械可靠性，让您在各种工业级应用环境中都能信心十足。选择它，就是为您的功率系统选择了一位高效、可靠的核心执行者。

• 型号:STB12NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB12NM60N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。