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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心吗？STB25N80K5正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和19.5A的强大电流处理能力，专为应对严苛的工业与能源应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更高效、更可靠。极低的260毫欧导通电阻能大幅减少功率损耗，直接提升能效；优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关，让您轻松实现更高的开关频率和更简洁的驱动设计。无论是提升电源密度还是增强系统鲁棒性，STB25N80K5都能成为您设计中值得信赖的功率基石。

• 型号:STB25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。