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还在寻找那颗能同时兼顾高耐压、大电流与出色效率的“心脏”吗？STI13NM60N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和11A的连续电流能力，专为要求严苛的功率应用设计，让您的电源转换和电机驱动方案效能倍增。

它采用意法半导体引以为傲的MDmesh II技术，将导通电阻显著降低，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的开关特性让驱动设计变得轻松，帮助您快速实现高性能、高可靠性的产品设计，从容应对市场挑战。

• 型号:STI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。