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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关而烦恼吗？让STB24NM60N来为您解决难题！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和17A的电流处理能力，是您构建高效、紧凑电源系统的理想选择。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。超低的导通电阻（仅190毫欧）意味着更少的导通损耗和发热，直接提升系统效率；优化的开关特性（栅极电荷仅46nC）让高频开关操作更加轻松高效，有效降低整体功耗。无论是工业驱动、电源转换还是照明应用，它都能助您打造出更节能、更可靠的产品。

• 型号:STB24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。