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您正在寻找一颗能轻松驾驭大功率任务的“开关”吗？STB60NF10T4正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通时的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升终端产品的能效等级和可靠性。

得益于意法半导体先进的STripFET II技术，它在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡。高达300W的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），让它无惧严苛环境挑战。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，非常适合自动化生产，并能有效散热。选择它，就是为您的设计选择了一颗经久耐用、性能强悍的动力基石。

• 型号:STB60NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NF10T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。