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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STB20N95K5为您带来颠覆性的解决方案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达950V的击穿电压和17.5A的电流承载能力，专为应对严苛的高压环境而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻显著减少了导通损耗，而优化的开关特性则最大限度地降低了开关损耗，双管齐下，全面提升系统能效。同时，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战下都能稳定运行。选择它，您就能轻松构建出性能强劲、散热优异且体积紧凑的下一代功率系统。

• 型号:STB20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。