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您正在寻找一颗能显著提升电源转换效率、让系统运行更稳定可靠的功率开关吗？STW36N60M6正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和30A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值99毫欧），能大幅减少导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时降低温升。

得益于意法半导体先进的MDmesh M6技术，它在保持优异开关性能的同时，还拥有优化的栅极电荷。这意味着您可以实现更高效的驱动，减少开关损耗，从而让整个系统运行得更快、更“凉爽”。无论是用于功率因数校正(PFC)、电机控制还是开关电源，它都能帮助您构建出更紧凑、更高效、更可靠的解决方案，直接赋能您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STW36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。