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您正在寻找一颗能同时征服高压、大电流与高温挑战的功率开关吗？STB20N60M2-EP正是为此而生。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和13A的连续漏极电流承载能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源逆变器时，能够轻松构建高效、强健的功率转换核心。

它的卓越之处在于极低的导通损耗与开关损耗。优化的技术平台带来了更优的动态性能，帮助您的系统显著提升能效，同时其高达150°C的结温工作能力确保了在恶劣环境下的长期可靠性。选择它，意味着您能获得更紧凑的设计、更低的温升以及更令人放心的产品寿命，从而在性能和成本之间找到完美平衡点。

• 制造商产品型号：STB20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB20N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。