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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与紧凑尺寸的功率开关管吗？STN6N60M2正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和5.5A的电流处理能力，核心采用ST专利的MDmesh M2技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对复杂的散热挑战，其优化的动态特性确保了快速干净的开关动作，有助于简化您的电路设计并提升系统电磁兼容性（EMC）表现。无论是用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC），还是照明和电机控制，STN6N60M2都能以卓越的性能和稳定性，助您高效实现设计目标，打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STN6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-2
• 封装/外壳:TO-261-3
• STN6N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。