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您正在寻找一颗能在大电流路径上担当重任，同时保持极低损耗和快速响应的“开关”吗？STB200NF04L-1正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其120A的强悍电流处理能力和低至3.8毫欧的导通电阻，能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗，让热量不再是性能的瓶颈，效率提升触手可及。

它采用先进的STripFET II技术，在10V驱动电压下即可实现优异的导通特性，搭配合理的栅极电荷，让您的开关控制既高效又轻松。高达300W的耗散功率和宽广的工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，大幅提升您最终产品的可靠性和耐用度。选择它，就是为您的功率设计注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STB200NF04L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB200NF04L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。