我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP20NM50现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理数百伏电压和数十安培电流的电源或电机驱动吗？STP20NM50正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有500V的坚固耐压和20A的强大电流吞吐能力，核心搭载ST意法半导体引以为傲的MDmesh技术，能显著降低导通电阻，让您的系统效率轻松跃升，发热大幅减少。

它能让您轻松构建更高效、更紧凑的电路。优化的开关特性（如较低的栅极电荷）意味着您可以实现更快的开关速度，从而使用更小的电感和变压器，节省宝贵的空间和成本。无论是工业电源、UPS不间断电源，还是电机变频驱动，STP20NM50都能以卓越的可靠性和性能，成为您功率转换核心中值得信赖的“心脏”。

• 型号:STP20NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。