我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL11N60M2-EP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压场景，同时保持高效与可靠的核心开关器件吗？STL11N60M2-EP正是为此而生。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道功率MOSFET，旨在让您的高压电源、照明或电机驱动设计脱胎换骨。

它集高耐压、低损耗与卓越的散热能力于一身。其创新的PowerFlat HV封装不仅节省空间，更能有效管理热量，确保系统在高温环境下持续稳定输出高达5.5A的电流。这意味着您可以轻松构建更紧凑、更高效、更耐用的功率转换解决方案，显著提升终端产品的性能与市场竞争力。

• 型号:STL11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。