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您正在寻找一颗能轻松应对600V高压、流畅处理13A电流的功率开关吗？STB18NM60N正是为您而来。这颗基于MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有低至285毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它集高耐压、大电流与快速开关特性于一身，配合D2PAK封装出色的散热能力，能确保在各类严苛应用中稳定可靠地工作。选择它，就是为您的设计选择了高效能与长寿命的保障，让您轻松攻克能效挑战，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STB18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。