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您正在设计需要处理高达250V电压和17A电流的电源或电机驱动方案吗？STB18NF25正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，能为您提供极低的165毫欧导通电阻，显著降低功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它拥有高达110W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。同时，其优化的栅极特性让驱动设计变得轻松，帮助您简化电路、提升开关频率。选择STB18NF25，就是选择了一个能助力您轻松实现高性能、高可靠性设计的强大引擎。

• 型号:STB18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。