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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又将能量损耗降到最低的功率开关吗？STP180NS04ZC正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有120A的强大电流承载能力和仅4.2毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用坚固的TO-220AB封装，支持高达330W的功率耗散，结合其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保您的设备即使在最苛刻的环境下也能稳定运行，大幅提升了系统的可靠性与耐久性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STP180NS04ZC
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP180NS04ZC，ST（意法半导体）产品一站式供应商。