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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和超低损耗的“心脏”来驱动您的电源或电机系统吗？STB24N60M6正是为此而生！这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流处理能力，专为提升开关模式电源和电机驱动应用的效率而优化。

它能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，显著降低导通和开关损耗，从而减少系统发热，提升整体能效和可靠性。其D2PAK表面贴装封装确保了出色的功率耗散能力，让您的设计更紧凑、生产更高效。选择STB24N60M6，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且强大的功率开关解决方案。

• 型号:STB24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。